توضیحات
IRLZ34NPBF
HEXFET Power MOSFET
| جزییات | دسته بندی محصولات: MOSFET قطب ترانزیستور: N-Channel Vds – ولتاژ شکست جریان منبع تخلیه: 55 V Id – جریان تخلیه مداوم: 27 A Vgs – Gate-Source Voltage: 16 V Qg – Chate Gate: 16.7 nC ارتفاع: 15.65 میلی متر طول: 10 میلی متر نوع ترانزیستور: 1 N-Channel عرض: 4.4 میلی متر |
|---|
