IRFP460

473.000

توضیحات

IRFP460

N – CHANNEL 500V – 0.22 ohm – 20 A – TO-247 PowerMESH  MOSFET

 

مشخصات: فناوری: سی
قطب ترانزیستور: N-Channel
تعداد کانال ها: 1 کانال
Vds – ولتاژ خرابی منبع تخلیه: 500 V
Id – جریان تخلیه مداوم: 20 A
Rds On – مقاومت در برابر منبع زهکشی: 270 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage: 20 V
حداقل دمای کارکرد: – 55 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای کارکرد: + 150 درجه سانتیگراد
Pd – Dissipation Power: 250000 mW
حالت کانال: بهبود
پیکربندی: تک
ارتفاع: 20.82 میلی متر
طول: 15.87 میلی متر
نوع ترانزیستور: 1 N-Channel
عرض: 4.82 میلی متر
زمان پاییز: 65 نانومتر
زمان ظهور: 81 ns
زیرشاخه: MOSFET
زمان تاخیر خاموش معمولی: 85 نانومتر
زمان تأخیر روشنایی معمولی: 23 نانومتر

افزودن به سبد خرید