IRFB20N50KPBF

559.000

توضیحات

IRFB20N50KPBF

 HEXFET Power MOSFET

 

 

مشخصات: فناوری: سی
قطب ترانزیستور: N-Channel
تعداد کانال ها: 1 کانال
Vds – ولتاژ خرابی منبع تخلیه: 500 V
Id – جریان تخلیه مداوم: 20 A
Rds On – مقاومت در برابر منبع زهکشی: 250 میلی آمپر ساعت
Vgs – Gate-Source Voltage: 10 V
ولتاژ آستانه Vgs th – Gate-Source: 3 V
Qg – شارژ گیت: 110 نیویورک
حداقل دمای کارکرد: – 55 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای کارکرد: + 150 درجه سانتیگراد
Pd – توزیع برق: 280 W
حالت کانال: بهبود
پیکربندی: تک
ارتفاع: 15.49 میلی متر
طول: 10.41 میلی متر
سری: IRFB
نوع ترانزیستور: 1 N-Channel
عرض: 4.7 میلی متر
Transconductance Forward – Min: 11 S
زمان پاییز: 33 نانومتر
نوع محصول: MOSFET
زمان ظهور: 74 ns
زمان تأخیر خاموش معمولی: 45 نانومتر
زمان تأخیر روشنایی معمولی: 22 نانومتر

افزودن به سبد خرید