توضیحات
IRF9630PBF
MOSFET P-CH – 200V HEXFET MOSFET Power MOSFET
| ویژگی های محصول | دسته بندی محصولات: MOSFET قطب ترانزیستور: P-Channel Vds – ولتاژ خرابی منبع تخلیه: 200 V Id – جریان تخلیه مداوم: 6.5 A Vgs – Gate-Source Voltage: 10 V ولتاژ آستانه Vgs th – Gate-Source: 2 V Qg – شارژ گیت: 29 نانومتر حداقل دمای کارکرد: – 55 درجه سانتیگراد حداکثر دمای کارکرد: + 150 درجه سانتیگراد Pd – قطع برق: 74 W نوع ترانزیستور: 1 P-Channel Transconductance Forward – حداقل: 2.8 S زمان تاخیر خاموش معمولی: 28 نانومتر زمان تأخیر روشنایی معمولی: 12 نانومتر |
|---|
