توضیحات
IRF7509TRPBF
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 2.4A
| ویژگی های محصول | دسته بندی محصولات: MOSFET قطب ترانزیستور: N-Channel ، P-Channel Vds – ولتاژ شکست جریان منبع تخلیه: 30 V Id – جریان تخلیه مداوم: 2.7 A Vgs – Gate-Source Voltage: 20 V Qg – شارژ گیت: 7.8 نانومتر ، 7.5 نیویورک حداقل دمای کارکرد: – 55 درجه سانتیگراد حداکثر دمای کارکرد: + 150 درجه سانتیگراد Pd – قطع برق: 1.25 W پیکربندی: دوتایی حالت کانال: بهبود ارتفاع: 1.11 میلی متر طول: 3 میلی متر نوع ترانزیستور: 1 N-Channel ، 1 P-Channel عرض: 3 میلی متر |
|---|
