IRF630NSTRLPBF

172.000

توضیحات

IRF630NSTRLPBF

MOSFET 200V 9.3A 300mOhm 23.3nC

 

 

مشخصات: قطب ترانزیستور: N-Channel
تعداد کانال ها: 1 کانال
Vds – ولتاژ خرابی منبع تخلیه: 200 V
Id – جریان تخلیه مداوم: 9.3 A
Rds On – مقاومت در برابر منبع زهکشی: 300 میلی آمپر ساعت
Vgs – Gate-Source Voltage: 20 V
Qg – شارژ گیت: 23.3 نانومتر
حداقل دمای کارکرد: – 55 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای کارکرد: + 175 درجه سانتیگراد
Pd – ضریب قدرت: 82 W
حالت کانال: بهبود
بسته بندی: نوار برش
بسته بندی: MouseReel
بسته بندی: قرقره
پیکربندی: تک
ارتفاع: 2.3 میلی متر
طول: 6.5 میلی متر
نوع ترانزیستور: 1 N-Channel
عرض: 6.22 میلی متر
نام تجاری: Infineon / IR
Transconductance Forward – حداقل: 4.9 S
زمان پاییز: 15 نانومتر
زمان ظهور: 14 نانومتر
زیرشاخه: MOSFET
زمان تاخیر خاموش معمولی: 27 نانومتر
زمان تأخیر روشنایی معمولی: 7.9 ns

افزودن به سبد خرید