توضیحات
IRF6218PBF
Power MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 150mOhms 21nC
| مشخصات: | دسته بندی محصولات: MOSFET قطب ترانزیستور: P-Channel Vds – ولتاژ خرابی منبع تخلیه: 150 ولت Id – جریان تخلیه مداوم: 27 A Qg – شارژ گیت: 21 نانومتر حداقل دمای کارکرد: – 55 درجه سانتیگراد حداکثر دمای کارکرد: + 175 درجه سانتیگراد Pd – توزیع برق: 250 W ارتفاع: 15.65 میلی متر طول: 10 میلی متر نوع ترانزیستور: 1 P-Channel نوع: Smps MOSFET عرض: 4.4 میلی متر زمان ظهور: 70 نانومتر زمان تاخیر خاموش معمولی: 35 نانومتر زمان تأخیر روشنایی معمولی: 21 نانومتر |
|---|
