توضیحات
BD677
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
| مشخصات: | قطب ترانزیستور: NPN گردآورنده- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V گردآورنده- پایه ولتاژ VCBO: 60 V حداکثر جریان جمع کننده DC: 4 A حداکثر جریان قطع کننده جمع کننده: 200 uA Pd – اتلاف برق: 40 W حداکثر دمای کارکرد: + 150 درجه سانتیگراد سری: BD677 ارتفاع: 10.8 میلی متر طول: 7.8 میلی متر عرض: 2.7 میلی متر جمع کننده DC / Base Gain hfe حداقل: 750 زیرشاخه: ترانزیستور |
|---|
