Description
STP7N80K5
MOSFET N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh
| مشخصات: | فناوری: سی قطب ترانزیستور: N-Channel Vds – ولتاژ خرابی منبع تخلیه: 800 V Id – جریان تخلیه مداوم: 6 A Rds On – مقاومت در برابر منبع زهکشی: 1.2 اهم Vgs – Gate-Source Voltage: 30 V ولتاژ آستانه Vgs th – Gate-Source: 4 V Qg – Chate Gate: 13.4 nC حداقل دمای کارکرد: – 55 درجه سانتیگراد حداکثر دمای کارکرد: + 150 درجه سانتیگراد Pd – توزیع برق: 110 W سری: STP7N80K5 زمان سقوط: 20.2 ns زمان ظهور: 8.3 ns زیرشاخه: MOSFET زمان تاخیر خاموش معمولی: 11.3 ns زمان تأخیر روشنایی معمولی: 23.7 ns |
|---|
