توضیحات
IRFZ24N
Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm
| ویژگی های محصول | دسته بندی محصولات: MOSFET قطب ترانزیستور: N-Channel Vds – ولتاژ شکست جریان منبع تخلیه: 55 V Id – جریان تخلیه مداوم: 17 A حداقل دمای کارکرد: – 55 درجه سانتیگراد حداکثر دمای کار: + 175 درجه سانتیگراد ارتفاع: 15.65 میلی متر طول: 10 میلی متر نوع ترانزیستور: 1 N-Channel عرض: 4.4 میلی متر نوع محصول: MOSFET زمان تاخیر خاموش معمولی: 19 نانومتر زمان تأخیر روشنایی معمولی: 4.9 نانومتر |
|---|
