توضیحات
IRFP350
Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.30ohm, Id=16A
ویژگی های محصول | دسته بندی محصولات: MOSFET قطب ترانزیستور: N-Channel Vds – ولتاژ خرابی منبع تخلیه: 400 V Id – جریان تخلیه مداوم: 16 A Vgs – Gate-Source Voltage: 20 V حداقل دمای کارکرد: – 55 درجه سانتیگراد حداکثر دمای کارکرد: + 150 درجه سانتیگراد Pd – Dissipation Power: 180000 mW ارتفاع: 20.82 میلی متر طول: 15.87 میلی متر نوع ترانزیستور: 1 N-Channel عرض: 4.82 میلی متر نوع محصول: MOSFET |
---|