IRFP31N50LPBF

982.000

توضیحات

IRFP31N50LPBF

MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
مشخصات: فناوری: سی
قطب ترانزیستور: N-Channel
تعداد کانال ها: 1 کانال
Vds – ولتاژ خرابی منبع تخلیه: 500 V
Id – جریان تخلیه مداوم: 31 A
Rds On – مقاومت در برابر منبع زهکشی: 180 میلی آمپر ساعت
Vgs – Gate-Source Voltage: 10 V
ولتاژ آستانه Vgs th – Gate-Source: 3 V
Qg – شارژ گیت: 210 نیویورک
حداقل دمای کارکرد: – 55 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای کارکرد: + 150 درجه سانتیگراد
Pd – Dissipation Power: 460 W
حالت کانال: بهبود
پیکربندی: تک
ارتفاع: 20.82 میلی متر
طول: 15.87 میلی متر
سری: IRFP
نوع ترانزیستور: 1 N-Channel
عرض: 5.31 میلی متر
Transconductance Forward – Min: 15 S
زمان سقوط: 53 نانومتر
نوع محصول: MOSFET
زمان ظهور: 115 ns
زمان تأخیر خاموش کردن معمولی: 54 ns
زمان تأخیر روشنایی معمولی: 28 نانومتر

افزودن به سبد خرید