Description
IRFB42N20DPBF
MOSFET 200V SINGLE N-CH 55mOhms 91nC
| مشخصات: | قطب ترانزیستور: N-Channel Vds – ولتاژ خرابی منبع تخلیه: 200 V Id – جریان تخلیه مداوم: 44 A Rds On – مقاومت در برابر زهکشی منبع: 55 mOhms Vgs – Gate-Source Voltage: 30 V Qg – شارژ گیت: 91 نانومتر حداقل دمای کارکرد: – 55 درجه سانتیگراد حداکثر دمای کارکرد: + 175 درجه سانتیگراد Pd – قطع برق: 2.4 W ارتفاع: 15.65 میلی متر طول: 10 میلی متر نوع ترانزیستور: 1 N-Channel نوع: Smps MOSFET عرض: 4.4 میلی متر Transconductance Forward – Min: 21 S زیرشاخه: MOSFET |
|---|
