Description
IRF840
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A)
| مشخصات: | فناوری: سی قطب ترانزیستور: N-Channel تعداد کانال ها: 1 کانال Vds – ولتاژ خرابی منبع تخلیه: 500 V Id – جریان تخلیه مداوم: 8 A Rds On – مقاومت در برابر منبع زهکشی: 850 mOhms Vgs – Gate-Source Voltage: 20 V حداقل دمای کارکرد: – 65 درجه سانتیگراد حداکثر دمای کارکرد: + 150 درجه سانتیگراد Pd – توزیع برق: 125 W حالت کانال: بهبود پیکربندی: تک ارتفاع: 9.15 میلی متر طول: 10.4 میلی متر سری: IRF840 نوع ترانزیستور: 1 N-Channel عرض: 4.6 میلی متر زمان پاییز: 9 شب نوع محصول: MOSFET زمان ظهور: 21 شب زیرشاخه: MOSFET زمان تأخیر روشنایی معمولی: 10 نانومتر |
|---|
