IRF730PBF

130.000

Description

IRF730PBF

MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET

 

ویژگی های محصول دسته بندی محصولات: MOSFET
قطب ترانزیستور: N-Channel
Vds – ولتاژ خرابی منبع تخلیه: 400 V
Id – جریان تخلیه مداوم: 5.5 A
Rds On – مقاومت در برابر منبع زهکشی: 1 اهم
Vgs – Gate-Source Voltage: 10 V
ولتاژ آستانه Vgs th – Gate-Source: 2 V
Qg – شارژ گیت: 38 نانومتر
حداقل دمای کارکرد: – 55 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای کارکرد: + 150 درجه سانتیگراد
نوع ترانزیستور: 1 N-Channel

Add to cart