توضیحات
IRF730PBF
MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET
| ویژگی های محصول | دسته بندی محصولات: MOSFET قطب ترانزیستور: N-Channel Vds – ولتاژ خرابی منبع تخلیه: 400 V Id – جریان تخلیه مداوم: 5.5 A Rds On – مقاومت در برابر منبع زهکشی: 1 اهم Vgs – Gate-Source Voltage: 10 V ولتاژ آستانه Vgs th – Gate-Source: 2 V Qg – شارژ گیت: 38 نانومتر حداقل دمای کارکرد: – 55 درجه سانتیگراد حداکثر دمای کارکرد: + 150 درجه سانتیگراد نوع ترانزیستور: 1 N-Channel |
|---|
