Description
IRF630N
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A
| مشخصات: | تعداد کانال ها: 1 کانال Vds – ولتاژ خرابی منبع تخلیه: 200 V Id – جریان تخلیه مداوم: 9.3 A Rds On – مقاومت در برابر منبع زهکشی: 300 میلی آمپر ساعت Vgs – Gate-Source Voltage: 20 V Qg – شارژ گیت: 23.3 نانومتر حداقل دمای کارکرد: – 55 درجه سانتیگراد حداکثر دمای کارکرد: + 175 درجه سانتیگراد Pd – ضریب قدرت: 82 W پیکربندی: تک ارتفاع: 15.65 میلی متر طول: 10 میلی متر نوع ترانزیستور: 1 N-Channel عرض: 4.4 میلی متر Transconductance Forward – حداقل: 4.9 S زمان پاییز: 15 نانومتر زمان ظهور: 14 نانومتر زیرشاخه: MOSFET زمان تاخیر خاموش معمولی: 27 نانومتر زمان تأخیر روشنایی معمولی: 7.9 ns |
|---|
