توضیحات
IRF4905
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.02ohm, Id=-74A)
| ویژگی های محصول | قطب ترانزیستور: P-Channel Vds – ولتاژ شکست جریان منبع تخلیه: 55 V Id – جریان تخلیه مداوم: 74 A Vgs – Gate-Source Voltage: 20 V حداقل دمای کارکرد: – 55 درجه سانتیگراد حداکثر دمای کارکرد: + 175 درجه سانتیگراد Pd – توزیع برق: 200 W ارتفاع: 15.65 میلی متر طول: 10 میلی متر نوع ترانزیستور: 1 P-Channel عرض: 4.4 میلی متر زمان ظهور: 99 نانومتر زمان تاخیر خاموش معمولی: 61 ns زمان تأخیر روشنایی معمولی: 18 نانومتر |
|---|
