توضیحات
G7S313U
IGBT Transistors 330V PDP TRENCH IGBT Ultrafast 8 – 30 kHz
| ویژگی های محصول | پیکربندی: تک گردآورنده- Emitter Voltage VCEO Max: 330 V ولتاژ اشباع گردآورنده-Emitter: 1.45 V ولتاژ حداکثر گیت Emitter Voltage: 30 V جریان مداوم جمع کننده در 25 C: 40 A Pd – توزیع برق: 78 W حداقل دمای کارکرد: – 40 درجه سانتیگراد حداکثر دمای کارکرد: + 150 درجه سانتیگراد ارتفاع: 4.83 میلی متر طول: 10.67 میلی متر عرض: 9.65 میلی متر جریان نشت Gate-Emitter: 100 nA |
|---|
