Description
FQP6N90C
N-Channel QFET MOSFET 900 V, 6.0 A, 2.3 Ω
| مشخصات: | فناوری: سی قطب ترانزیستور: N-Channel تعداد کانال ها: 1 کانال Vds – ولتاژ خرابی منبع تخلیه: 900 V Id – جریان تخلیه مداوم: 6 A Rds On – مقاومت در برابر منبع زهکشی: 2.3 اهم Vgs – Gate-Source Voltage: 30 V حداقل دمای کارکرد: – 55 درجه سانتیگراد حداکثر دمای کارکرد: + 150 درجه سانتیگراد Pd – توزیع برق: 167 W پیکربندی: تک ارتفاع: 16.3 میلی متر طول: 10.67 میلی متر سری: FQP6N90C نوع ترانزیستور: 1 N-Channel نوع: MOSFET عرض: 4.7 میلی متر Transconductance Forward – حداقل: 5.5 S زمان پاییز: 60 نانومتر نوع محصول: MOSFET زمان ظهور: 90 نانومتر زمان تاخیر خاموش معمولی: 55 نانومتر زمان تأخیر روشنایی معمولی: 35 نانومتر |
|---|
