Description
ترانزیستور یک وسیله نیمه هادی است که برای تقویت یا سوئیچ کردن سیگنال های الکتریکی و قدرت استفاده می شود.ترانزیستورها خاص هستند زیرا به شما این امکان را می دهند که میزان جریان عبوری از مدار را کنترل کنید. این را می توان با کنترل ولتاژ دو سر ترانزیستور به دست آورد.
ترانزیستور نیمه هادی است که سیگنال ضعیفی را از مداری با مقاومت کم به مدار مقاومت بالا منتقل می کند. به عبارت ساده، منظور این است که سیگنال های الکتریکی مانند ولتاژ یا جریان را تنظیم و تقویت می کند. و به دو نوع NPN و PNP تقسیم میشود. که ترانزیستور BC856B-SMD از نوع PNP میباشد
اساساً، در این نوع ساخت ترانزیستور BC856B-SMD ، دو دیود با توجه به نوع NPN معکوس می شوند و یک نوع پیکربندی مثبت-منفی-مثبت ایجاد می کنند.
همچنین، تمام پلاریته‌های یک ترانزیستور PNP معکوس میشود، به این معنی که جریان را در پایه خود فرو می‌برد، در مقابل ترانزیستور NPN که جریان را از پایه خود «منبع» می‌کند.
تفاوت اصلی بین دو نوع ترانزیستور این است که سوراخ ها حامل مهم تر برای ترانزیستورهای PNP هستند، در حالی که الکترون ها حامل مهم ترانزیستورهای NPN هستند.
سپس، ترانزیستورهای PNP BC856B-SMD از یک جریان پایه کوچک و یک ولتاژ پایه منفی برای کنترل جریان امیتر-کلکتور بسیار بزرگتر استفاده می کنند. به عبارت دیگر برای یک ترانزیستور PNP، امیتر نسبت به پایه و همچنین نسبت به کلکتور مثبت تر است.
| مشخصات : | قطب ترانزیستور: PNP پیکربندی: تک گردآورنده- Emitter Voltage VCEO Max: 65 V جمع کننده- پایه ولتاژ VCBO: 80 V Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V حداکثر جریان جمع کننده DC: 0.1 A Pd – اتلاف برق: 300 مگاوات به دست آوردن پهنای باند محصول fT: 200 مگاهرتز حداقل دمای کارکرد: – 65 درجه سانتیگراد حداکثر دمای کارکرد: + 150 درجه سانتیگراد سری: BC856B ارتفاع: 1 میلی متر طول: 3.05 میلی متر فناوری: سی عرض: 1.4 میلی متر جریان مداوم جمع کننده: 0.1 A جمع کننده DC / Base Gain hfe حداقل: 220 در 2 میلی آمپر ، 5 ولت نوع محصول: BJTs – ترانزیستورهای دو قطبی زیرشاخه: ترانزیستور |
|---|
