توضیحات
BC807-25-SMD
PNP Silicon General Purpose Transistors
| مشخصات : | قطب ترانزیستور: PNP پیکربندی: تک گردآورنده- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V حداکثر جریان جمع کننده DC: 0.5 A Pd – Dissipation Power: 310 mW به دست آوردن پهنای باند محصول fT: 100 مگاهرتز حداقل دمای کارکرد: – 65 درجه سانتیگراد حداکثر دمای کارکرد: + 150 درجه سانتیگراد سری: BC807 ارتفاع: 1 میلی متر طول: 3.05 میلی متر فناوری: سی عرض: 1.4 میلی متر جریان مداوم جمع کننده: 0.5 A نوع محصول: BJTs – ترانزیستورهای دو قطبی زیرشاخه: ترانزیستور |
|---|
