Description
BC517
(Darlington Transistors(NPN Silicon
| مشخصات: | قطب ترانزیستور: NPN گردآورنده- Emitter Voltage VCEO Max: 30 V Emitter- Base Voltage VEBO: 10 V گردآورنده- پایه ولتاژ VCBO: 40 V حداکثر جریان جمع کننده DC: 1 A حداکثر جریان قطع کننده جمع کننده: 0.1 uA Pd – Dissipation Power: 625 mW حداقل دمای کارکرد: – 55 درجه سانتیگراد حداکثر دمای کارکرد: + 150 درجه سانتیگراد ارتفاع: 5.33 میلی متر طول: 5.2 میلی متر عرض: 4.19 میلی متر جریان مداوم جمع کننده: 1 A جمع کننده DC / Base Gain hfe حداقل: 30000 |
|---|
