توضیحات
BC327
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
| ویژگی های محصول | قطب ترانزیستور: PNP گردآورنده- Emitter Voltage VCEO Max: – 45 V جمع کننده- پایه ولتاژ VCBO: – 50 ولت Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V ولتاژ اشباع گردآورنده-Emitter: – 0.7 V حداکثر جریان جمع کننده DC: 0.8 A Pd – Dissipation Power: 625 mW Gain Bandwidth Product fT: 260 MHz حداقل دمای کارکرد: – 55 درجه سانتیگراد حداکثر دمای کارکرد: + 150 درجه سانتیگراد DC Current Gain hFE Max: 630 ارتفاع: 5.33 میلی متر طول: 5.2 میلی متر عرض: 4.19 میلی متر نوع محصول: BJTs – ترانزیستورهای دو قطبی |
|---|
