Description
2N5460
| مشخصات: | قطب ترانزیستور: P-Channel پیکربندی: تک ولتاژ Vgs – Gate-Source Breakdown Voltage: 40 V جریان زهکشی منبع در Vgs = 0: – 1 میلی آمپر تا – 5 میلی آمپر Id – جریان تخلیه مداوم: 10 میلی آمپر Pd – افت انرژی: 350 مگاوات حداقل دمای کارکرد: – 65 درجه سانتیگراد حداکثر دمای کار: + 135 درجه سانتیگراد نوع: JFET حداکثر ولتاژ دروازه تخلیه: 40 ولت نوع محصول: JFET |
|---|
