Description
2n4391
| مشخصات: | فناوری: سی قطب ترانزیستور: N-Channel پیکربندی: تک ولتاژ Vgs – Gate-Source Breakdown Voltage: – 40 V جریان زهکشی منبع در Vgs = 0: 150 میلی آمپر Rds On – مقاومت در برابر منبع زهکشی: 30 اهم Pd – Dissipation Power: 1.8 W نوع: JFET ولتاژ قطع جریان دروازه-منبع: – 10 ولت نوع محصول: JFET زیرشاخه: ترانزیستور |
|---|
