Description
2n3819
| مشخصات: | نوع ترانزیستور: JFET فناوری: سی قطب ترانزیستور: N-Channel Vds – ولتاژ شکست جریان منبع تخلیه: 25 ولت ولتاژ Vgs – Gate-Source Breakdown Voltage: 25 V Id – جریان تخلیه مداوم: 100 میلی آمپر Pd – افت انرژی: 350 مگاوات پیکربندی: تک محصول: RF JFET نوع: JFET نوع محصول: ترانزیستور RF JFET |
|---|
