Description
IRF820PBF
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
| مشخصات: | قطب ترانزیستور: N-Channel Vds – ولتاژ خرابی منبع تخلیه: 500 V Id – جریان تخلیه مداوم: 2.5 A Vgs – Gate-Source Voltage: 10 V ولتاژ آستانه Vgs th – Gate-Source: 2 V Qg – شارژ گیت: 24 درجه سانتی گراد حداقل دمای کارکرد: – 55 درجه سانتیگراد حداکثر دمای کار: + 150 درجه سانتیگراد Pd – قطع برق: 50 W ارتفاع: 15.49 میلی متر طول: 10.41 میلی متر سری: IRF نوع ترانزیستور: 1 N-Channel عرض: 4.7 میلی متر Transconductance Forward – حداقل: 1.5 S نوع محصول: MOSFET |
|---|
