Description
IRFP250N
Power MOSFET Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm , Id=30A)
| مشخصات: | فناوری: سی تعداد کانال ها: 1 کانال Vds – ولتاژ خرابی منبع تخلیه: 200 V Id – جریان تخلیه مداوم: 30 A Rds On – مقاومت در برابر منبع زهکشی: 75 mOhms Vgs – Gate-Source Voltage: 20 V حداقل دمای کارکرد: – 55 درجه سانتیگراد حداکثر دمای کارکرد: + 175 درجه سانتیگراد Pd – توزیع برق: 214 W حالت کانال: بهبود پیکربندی: تک ارتفاع: 20.7 میلی متر طول: 15.87 میلی متر نوع ترانزیستور: 1 N-Channel عرض: 5.31 میلی متر زمان پاییز: 33 نانومتر نوع محصول: MOSFET زمان ظهور: 43 نانومتر زمان تأخیر خاموش معمولی: 41 ns زمان تأخیر روشنایی معمولی: 14 نانومتر |
|---|
