Description
STW75NF20
N-channel 200V – 0.028 – 75A Low gate charge STripFET Power MOSFET
| مشخصات: | فناوری: سی قطب ترانزیستور: N-Channel تعداد کانال ها: 1 کانال Vds – ولتاژ خرابی منبع تخلیه: 200 V Id – جریان تخلیه مداوم: 75 A Rds On – مقاومت در برابر منبع زهکشی: 34 میلی آمپر ساعت Vgs – Gate-Source Voltage: 20 V حداقل دمای کارکرد: – 50 درجه سانتیگراد حداکثر دمای کارکرد: + 150 درجه سانتیگراد Pd – قطع برق: 190 W حالت کانال: بهبود پیکربندی: تک ارتفاع: 20.15 میلی متر طول: 15.75 میلی متر سری: STW75NF20 نوع ترانزیستور: 1 N-Channel عرض: 5.15 میلی متر Transconductance Forward – Min: 40 S زمان سقوط: 29 نانومتر نوع محصول: MOSFET زمان ظهور: 33 نانومتر زمان تاخیر خاموش معمولی: 75 نانومتر زمان تأخیر روشنایی معمولی: 53 ns |
|---|
