Description
STW50NB20
N – CHANNEL 200V – 0.047ohm – 50A – TO-247 PowerMESH MOSFET
| مشخصات: | فناوری: سی قطب ترانزیستور: N-Channel تعداد کانال ها: 1 کانال Vds – ولتاژ خرابی منبع تخلیه: 200 V Id – جریان تخلیه مداوم: 50 A Rds On – مقاومت در برابر زهکشی منبع: 55 mOhms Vgs – Gate-Source Voltage: 30 V حداقل دمای کارکرد: – 65 درجه سانتیگراد حداکثر دمای کارکرد: + 150 درجه سانتیگراد Pd – توزیع برق: 280 W پیکربندی: تک ارتفاع: 20.15 میلی متر طول: 15.75 میلی متر سری: STW50N نوع ترانزیستور: 1 N-Channel نوع: MOSFET عرض: 5.15 میلی متر زمان سقوط: 27 شب نوع محصول: MOSFET زمان ظهور: 65 نانومتر زمان تأخیر روشنایی معمولی: 35 نانومتر |
|---|
